| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010215125.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299074A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的形成方法，其中，形成所述源漏区的步骤包括：确定交界区并形成辅助层，所述辅助层覆盖所述交界区，所述交界区包括接于所述隔离区的部分宽度的所述有源区；以所述辅助层、所述栅堆叠结构和所述隔离区为掩膜，去除所述有源区内部分厚度的所述半导体基底，以形成凹槽；在所述凹槽中生成半导体材料，以填充所述凹槽。以及，一种半导体器件，在所述源漏区和所述隔离区之间夹有所述半导体基底材料。利于减少漏电。 |
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