| 专利名称 | npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 | 申请号 | CN200810103253.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101552284 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智;刘新宇 | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 至npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管 (DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基 极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型 InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层 和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧 穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极 和InP集电极所形成的导带尖峰。 |
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