| 专利名称 | 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 | 申请号 | CN200810103226.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101552236 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 至单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法， 该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀； 对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺， 挖栅槽，蒸发Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极；金属剥离， 形成金属图形。利用本发明，能够制作出性能良好的E/D MHEMT器 件，成功的将增强型MHEMT器件和耗尽型MHEMT器件集成于同一 芯片内，具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点， 容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障