| 专利名称 | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 | 申请号 | CN200810103255.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101552205 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;张海英;付晓君;徐静波 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I | 专利有效期 | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 至实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法， 该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻，显 影形成按照一定规律排列的十字；蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以 及十字两侧的队列标记；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长 衬底上剥离；采用滴管将包含ZnO纳米线的液滴滴入所述金属十字 Marker中央，利用十字marker和两侧的队列标记定位出纳米线所在的 位置。利用本发明，实现了ZnO纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底 的沉积和定位，解决了ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的 问题，实现了纳米线的精确定位。 |
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