| 专利名称 | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 | 申请号 | CN200810103254.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101552204 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;张海英;付晓君;徐静波 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I | 专利有效期 | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 至实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的 方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻， 显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将 ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布 满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应 管衬底上；蒸发掉乙醇，使ZnO纳米线掉入光刻胶凹槽中，在衬底上 形成按一定方向和固定位置的ZnO纳米线。利用本发明，实现了ZnO 纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位的方法，解决了 ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题，实现了纳米线的 精确定位。 |
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