| 专利名称 | 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 申请号 | CN200810103227.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101552203 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 付晓君;张海英;徐静波;黎明 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I | 专利有效期 | 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 至在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线 固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层9912光刻胶，采 用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层 9912光刻胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO 纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层 胶光刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线 从衬底脱落的问题，避免器件失效。 |
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