| 专利名称 | 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法 | 申请号 | CN200910051766.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101551403 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;王权 | 主分类号 | G01P15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/00(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法 至一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其 特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感 器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为 加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由 加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜 作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD 炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多 晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和 低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。 |
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