| 专利名称 | 一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法 | 申请号 | CN200910083565.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101551324 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 李斌成;黄秋萍;刘显明;韩艳玲 | 主分类号 | G01N21/31(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/31(2006.01)I;G01N21/17(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法 至一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法，用于测量半导体材料特征 参数和监控掺杂等工艺过程。基于半导体材料对强度周期性调制的激励光的吸收，在同 一套测试系统中同时获得自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过改变激励光的调 制频率，得到频域的自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过改变激励光和探测光 之间的间距，得到空间域的自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过分析处理所得 信号或通过与定标样品的信号数据比较，可得到半导体材料的特征参数及掺杂浓度等工 艺参数。本发明弥补单一技术存在的缺点及提高测量精度；在一个装置中同时获取两种 信号，较单一技术获得半导体材料更多的重要参数。 |
1、源头对接，价格透明
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