| 专利名称 | 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法 | 申请号 | CN200910050313.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101551294 | 公开（授权）日 | 2009.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆卫;殷豪;李天信;胡伟达;王文娟;甄红楼;李宁;陈平平;李志锋;陈效双;李永富;龚海梅 | 主分类号 | G01M11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01M11/00(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法 至一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该 方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的 表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得 出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体 的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改 善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。 |
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