| 专利名称 | 电学器件 | 申请号 | CN201210559480.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000803A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 清华大学;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;王亚愚;吕力;常翠祖;冯硝 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 专利有效期 | 电学器件 至电学器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及一种电学器件，包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0 |
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