| 专利名称 | 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用 | 申请号 | CN200910050392.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101546810 | 公开（授权）日 | 2009.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾怡峰;宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用 至一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三 种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材 料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有 随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的 电阻，实现数据的存储功能。 |
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