| 专利名称 | 提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法 | 申请号 | CN200910050591.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101545143 | 公开（授权）日 | 2009.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 曹顿华;赵广军;董勤;陈建玉;丁雨憧;程艳 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I | 专利有效期 | 提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法 至提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法，其特点是对石墨加热体方 法生长的Ce:YAG晶体进行低温氧气退火或高温氢气退火。包括以下步骤：先用丙 酮或者酒精清洗晶体；把Ce:YAG晶体放在炉膛的白宝石或者纯YAG晶体基片上； 升温；恒温退火；降温到室温；从炉膛取出Ce:YAG晶体。本发明能有效地消除晶 体中存在的碳相关的缺陷，提高晶体的透过性能；氧化晶体中生长过程中形成Ce2+ 离子，因此需要提高Ce3+离子浓度，同时尽可能抑制Ce4+离子，避免Ce4+离子引 起的淬灭效应，从而最大程度地提高Ce:YAG晶体的发光强度。 |
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