| 专利名称 | 硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件 | 申请号 | CN200810149020.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101545141 | 公开（授权）日 | 2009.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 叶宁;林新松;张戈 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件 至硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分 子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a＝14.755 ， b＝6.228 ，c＝5.929 ，α＝β＝γ＝90°。该非线性光学材料的制备 可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐 波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。 |
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