| 专利名称 | 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 | 申请号 | CN201210436128.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956774A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 程滟;汪炼成;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 至制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。 |
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