| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110252276.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956700A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹与所述绝缘塞和所述半导体基体之间，对于NMOS器件，所述外延层为SiC；对于PMOS器件，所述外延层为SiGe。本发明还提供一种半导体结构的形成方法。通过形成应变外延层，调节沟道区应力，提高载流子迁移率，增强半导体器件性能。 |
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