| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110254187.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956498A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的鳍片，所述鳍片通过半导体层接于所述衬底；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料，且两者相对于彼此具有刻蚀选择性。根据本发明的实施例，由于鳍片材料与鳍片之下的半导体层材料之间的刻蚀选择性，对于鳍片的构图可以准确地停止于该半导体层，从而可以很好地控制鳍片高度，并因此控制最终形成的器件的沟道宽度。 |
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