| 专利名称 | 在石墨烯表面制备栅介质的方法 | 申请号 | CN201110240276.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956467A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;张有为;徐大伟;王中健;夏超;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 在石墨烯表面制备栅介质的方法 至在石墨烯表面制备栅介质的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k栅介质层；所述金属氧化物薄膜为ⅢA族金属氧化物、ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种、或者它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以在石墨烯表面生成均匀性和覆盖率较高的高k栅介质，且在生成过程中不会破坏石墨烯晶体结构及引入缺陷，提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。 |
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