| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201110236626.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956451A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;罗军;赵超;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从而在半导体区上形成金属半导体化合物层；去除未反应的金属层。通过该牺牲侧墙的厚度将金属层与器件的沟道及栅区隔开一段距离，从而降低金属层扩散对沟道及栅区的影响，提高器件的性能。 |
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