| 专利名称 | 高压器件的外延层制造方法 | 申请号 | CN201110235330.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102956444A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王红丽;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 高压器件的外延层制造方法 至高压器件的外延层制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。依照本发明的高压器件的外延层制造方法，能有效改善外延层平整度、提升后面诸如光刻工艺的良品率，从而最终提高诸如击穿电压、开启电压的器件参数的均匀性、大大提升了芯片的良品率。 |
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