| 专利名称 | 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 | 申请号 | CN200810102205.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101540297 | 公开（授权）日 | 2009.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 至单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制 作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现 源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽， 分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极， 实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制 作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布 线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/D MHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡 器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性 的测量更精确。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障