| 专利名称 | 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 | 申请号 | CN200810102206.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101540296 | 公开（授权）日 | 2009.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 至实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域，公开一种采用GaAs 增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的 制作方法，利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的 DC～10GHz SPDT MMIC，将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成 于同一芯片内，基本实现逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需 要1位控制信号，有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯 片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成 奠定了良好基础。发明具有成效明显，工艺设计简单易行，经济适用 和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采 用和推广。 |
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