| 专利名称 | 一种相变存储的快速擦写操作方法 | 申请号 | CN201210436990.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102945683A | 公开（授权）日 | 2013.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宏潇;陈后鹏;宋志棠;陈一峰 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储的快速擦写操作方法 至一种相变存储的快速擦写操作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障