| 专利名称 | 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法 | 申请号 | CN201210581219.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103060907A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵 | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法 至一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障