| 专利名称 | Cs2GeB4O9化合物及其单晶体 | 申请号 | CN201210372272.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102942189A | 公开（授权）日 | 2013.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 毛江高;徐翔 | 主分类号 | C01B35/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B35/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I | 专利有效期 | Cs2GeB4O9化合物及其单晶体 至Cs2GeB4O9化合物及其单晶体 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及Cs2GeB4O9化合物及其单晶体、制备方法和用途。该化合物属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为，α?=?β?=?γ?=?90°，Z?=?2，晶胞体积为。Cs2GeB4O9晶体的粉末倍频效应是KH2PO4?(KDP)的2.8倍，紫外截止边位于198?nm。 |
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