| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201190000052.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202839583U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，在所述源漏区和所述隔离区之间夹有所述半导体基底材料。利于减少漏电。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障