| 专利名称 | A112Mg17为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法 | 申请号 | CN200910066854.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101538660 | 公开（授权）日 | 2009.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 王立民;王小林;贾音;王立东;李云辉;吴耀明 | 主分类号 | C22C1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C1/02(2006.01)I | 专利有效期 | A112Mg17为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法 至A112Mg17为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了Al12Mg17为镁源制备低残单RE-Mg-Ni系储氢合金的方法。使用 Al12Mg17强化相为镁源，代替常用的镁源；实际上的稳定性、高温动态稳定性以及匹 配性等都优越于现有技术中的镁源，目标合金符合“金属镁低残留”要求；铸态合金 La0.72Mg0.28Ni2.2Al0.2、La0.77Mg0.23Ni2.3Al0.2、La0.82Mg0.18Ni2.45Al0.13、La0.66Mg0.34Ni2.38Co0.46Mn0.26Al0.44 的室温最大放电比容量分别为298mAh/g、292mAh/g、289mAh/g和309mAh/g；达到了 发明之目的。 |
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