| 专利名称 | 集成标尺的SU-8纳米流体通道制作方法 | 申请号 | CN201210534674.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102998901A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 李小军;尤晖;王旭迪;付绍军;高钧;蒋锐;朱利凯;唐敏;孔德义 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 集成标尺的SU-8纳米流体通道制作方法 至集成标尺的SU-8纳米流体通道制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种集成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法，其特征是利用电子束曝光制作含有标尺及通道线条结构的光刻掩模板，并将上述掩模板应用于SU-8纳米流体系统的加工中，利用纳米压印并结合键合技术实现集成标尺的纳米流体通道的制作。该方法操作简单，集成标尺的纳米流体通道容易对通道内的物质尺寸及流体运动速度进行标定，更好的观察通道内物质尺寸大小的变化及流动速度等特性，同时，此方法制造成本低，且不需要苛刻的设备。对制作的纳米流体系统进行流体填充测试的结果显示了系统没有分层和堵塞，通道的边界清晰可见，也看不出键合的界面，显示了很好的质量。 |
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