| 专利名称 | 拓扑绝缘体结构的制备方法 | 申请号 | CN201210559458.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102995117A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 清华大学;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I | 专利有效期 | 拓扑绝缘体结构的制备方法 至拓扑绝缘体结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底；将该钛酸锶基底在分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0 |
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