| 专利名称 | 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 申请号 | CN201110336801.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094217A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 至晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管制作方法可以包括：提供衬底，并且在该衬底上形成第一绝缘层；在该第一绝缘层上定义第一器件区；在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离物；在该第一绝缘层上定义第二器件区，该第二器件区通过该侧墙隔离物与该第一器件区隔离；以及分别在该第一器件区和第二器件区中形成晶体管结构。本发明的晶体管制作方法大大减小了隔离所需的空间，显著降低了工艺复杂度，并且大幅减小了制作成本。 |
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