| 专利名称 | 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法 | 申请号 | CN201210537544.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000807A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋三年;宋志棠;张中华;顾怡峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法 至钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。 |
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