| 专利名称 | 产生量子化反常霍尔效应的方法 | 申请号 | CN201210559522.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000804A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 清华大学;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;王亚愚;吕力;常翠祖;冯硝 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 专利有效期 | 产生量子化反常霍尔效应的方法 至产生量子化反常霍尔效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种产生量子化反常霍尔效应的方法，包括：在绝缘基底上制备厚度为3QL至5QL的拓扑绝缘体量子阱薄膜；在制备该拓扑绝缘体量子阱薄膜的同时对该拓扑绝缘体量子阱薄膜掺杂第一元素与第二元素，形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该第一元素与该第二元素在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中分别引入空穴型载流子与电子型载流子，使该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中载流子浓度载流子浓度降到1×1013cm-2以下，该第一元素与该第二元素中的一种对该拓扑绝缘体量子阱薄膜进行磁性掺杂；以及对该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜施加场电压使载流子浓度进一步降低至实现量子化反常霍尔效应。 |
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