| 专利名称 | GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法 | 申请号 | CN201210496057.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000740A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 代盼;陆书龙;何巍;季莲;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法 至GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构。本发明还公开了一种双结太阳能电池的制作方法以及多结级联太阳能电池。本发明基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP/p+-GaInP做势垒同时AlInP作为顶层电池的背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构。从而将抑制p型掺杂源的扩散，实现隧道结光电流密度的提高，有效提高双结太阳电池效率。 |
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