| 专利名称 | 降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 | 申请号 | CN200910049374.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101538165 | 公开（授权）日 | 2009.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李永祥;龙艳平;王依琳;吴文骏 | 主分类号 | C04B35/64(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/64(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I | 专利有效期 | 降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 至降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法，属于低温共 烧微波介质陶瓷领域。本发明以Li2O、Nb2O5和TiO2或高温下可分解为Li2O、 Nb2O5和TiO2的化合物为原料，以氧化硼、硼酸和硅酸甲酯、硅酸乙酯等硅酸 酯以及硅酸等可溶性硅酸盐为原料配制溶液，在合成料中加入溶液，采用PVA 或PVB造粒，压制成型，排塑后在860～960℃烧结1～3h。本发明有效将陶 瓷烧结温度降低至900℃左右，同时保持非常优异的微波介电性能：ε＝71.721， Q×f＝4930GHz和τf＝-2.1ppm/℃，其介电性能优于未添加助烧剂的锂-铌- 钛基陶瓷在1100℃下烧结获得的微波介电性能性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障