| 专利名称 | 表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法 | 申请号 | CN201110352096.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103102158A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高剑琴;黄政仁;陈健;刘桂玲;刘学建 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法 至表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及表面质量提高的固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法包括以下步骤：测量SiC粉体表面的氧含量，并根据3C+SiO2＝SiC+2CO↑计算出所需的碳含量；加入烧结助剂B和C混合浆料，配比如下：烧结助剂与SiC粉体的混合物∶磨球∶分散介质＝1∶3∶1；烘干浆料、过筛，成型后除去粘结剂；在流动惰性气体保护下，以烧结温度为2050-2200℃进行烧结，保温时间1-4小时，生成致密的SiC陶瓷；对所得的致密的SiC陶瓷进行机械加工；对经机械加工的SiC陶瓷进行超声清洗以去除陶瓷表面上的残留粒子和沾污物。 |
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