| 专利名称 | 制备硅基微电极的方法 | 申请号 | CN201310062478.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103101878A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 制备硅基微电极的方法 至制备硅基微电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备硅基微电极的方法。该方法利用贵金属纳米颗粒在硅片表面催化腐蚀形成纳米孔洞阵列；在该纳米孔洞阵列上制备下绝缘层、导电层和上绝缘层，进而形成带有纳米孔洞阵列的微记录点。本发明制备硅基微电极的方法减少了工艺流程，降低了成本。 |
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