| 专利名称 | 光刻方法 | 申请号 | CN201210492719.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102981359A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 付思齐;时文华;刘彬;侯克玉;张宝顺 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 专利有效期 | 光刻方法 至光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。本发明的光刻方法，可以凭借单次光刻，获得具有不同高度的光刻结构。 |
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