| 专利名称 | 薄膜太阳能电池组件的制备方法 | 申请号 | CN201210509086.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983219A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 童君;杨春雷;肖旭东 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜太阳能电池组件的制备方法 至薄膜太阳能电池组件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上制备钼薄膜；对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400℃～580℃，退火时间为5～15分钟；及在所述钼背电极上依次制备铜铟镓硒或铜铟硒吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。上述方法中，通过退火处理，将钼薄膜加工成为同时具备良好附着力、抗腐蚀以及良好导电性的适用于薄膜太阳能电池组件背电极。并且通过此改进，提高了薄膜太阳能电池组件器件的工作效率。 |
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