| 专利名称 | 一种用于PECVD多点进气多区可调装置 | 申请号 | CN201110358404.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103103500A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于PECVD多点进气多区可调装置 至一种用于PECVD多点进气多区可调装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于涉及微电子技术领域，特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口，其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体上。具有该多点进气多区可调装置的PECVD能够一次处理多个电池片，该装置可以提高SiN膜层厚度的均匀性，从而具有较高的产能，提高了PECVD设备的生产效率。 |
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