| 专利名称 | 光调制热成像焦平面阵列的制作方法 | 申请号 | CN200910301822.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101538006 | 公开（授权）日 | 2009.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 焦斌斌;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 光调制热成像焦平面阵列的制作方法 至光调制热成像焦平面阵列的制作方法 | 法律状态 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步骤：步骤1.在单 晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2.按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3. 在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4.生长非晶硅填满沟槽；步骤5.在单晶硅片上表面覆盖薄 膜层A；步骤6.在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7.按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8.按 照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9.按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10.按预 设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。 |
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