| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110362350.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107091A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;许高博 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法和相应的半导体器件。在替代栅工艺中通过在源漏区上方形成掺杂多晶硅层，形成贯穿层间介质层(300)和所述非晶硅层(251)的接触孔(310)，所述接触孔(310)至少部分暴露所述源/漏区(110)，并在所述源/漏区的暴露区域和接触孔在非晶硅层中的侧壁表面形成接触层，降低了所述源/漏区的接触电阻。由于接触层在对高K介质层进行退火后形成，所以避免了金属硅化物层在高温下被破坏。 |
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