| 专利名称 | IGBT背面结构及制备方法 | 申请号 | CN201310064612.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107189A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT背面结构及制备方法 至IGBT背面结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种IGBT背面结构，包括间隔分布的P+集电区、背面金属电极、SiO2保护层；所述SiO2保护层设置于N型基区的背面，SiO2保护层上间隔设置接触孔，所述间隔分布的P+集电区对应接触孔处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极的金属完全填充间隔分布的P+集电区的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区紧密接触。本发明还提供了上述IGBT背面结构的制备方法。本发明用于改善IGBT器件的性能。 |
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