| 专利名称 | 石墨烯器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110360220.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107077A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;金智;钟汇才;朱慧珑;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯器件及其制造方法 至石墨烯器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种石墨烯器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的背栅接触层；在所述背栅接触层上形成背栅接触塞，以及在所述背栅极上形成源漏接触塞。通过利用衬底中的半导体层形成背栅极，从而实现自对准地形成背栅结构的石墨烯器件，其制造方法简单，具有同现有CMOS工艺较好的兼容性。 |
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