| 专利名称 | 在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法 | 申请号 | CN201310061485.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107252A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨海方;尹红星;顾长志;刘哲;夏晓翔 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法 至在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用欠曝光对样品进行曝光并显影；选择合适的温度对曝光后的样品进行热流处理，形成类球形形状的光刻胶结构样品；将光刻胶结构样品用感应耦合等离子体刻蚀设备进行刻蚀，从而将光刻胶形状转移到GaP表面；用丙酮溶液或者去胶机去除样品表面的残胶即得到增强AlGaInP基LED光提取效率的GaP类球形结构。 |
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