| 专利名称 | 金属性纳米管去除方法 | 申请号 | CN201110354410.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103101898A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 金属性纳米管去除方法 至金属性纳米管去除方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种金属性纳米管去除方法，其中金属性纳米管沿第一方向形成于衬底上。该方法包括：沿与第一方向交叉的第二方向，形成多个导体，所述导体与所述金属性纳米管电接触；在所述导体上形成至少两个电压施加电极，每一电压施加电极与数目至少为一个的相应一部分导体形成电接触；以及通过电压施加电极，向导体施加电压，其中，在被施加有电压的导体中，每两个相邻导体之间建立电势差，以烧毁金属性纳米管。 |
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