| 专利名称 | 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构 | 申请号 | CN201110324589.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065932A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;刘林杰;狄增峰;高晓强;陈达;薛忠营;姜海涛;卞建涛 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构 至一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0 x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；其次，对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10～1000nm；最后对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜，进而达到了用低成本制备出具有张应变、高迁移率Ge薄膜，并能减小InxGa1-xAs缓冲层的厚度、降低其穿透位错密度的目的。 |
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