| 专利名称 | 一种可单片集成的射频滤波器及制作方法 | 申请号 | CN200910048787.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101534103 | 公开（授权）日 | 2009.09.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;吴争争;顾磊 | 主分类号 | H03H7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;H03H3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可单片集成的射频滤波器及制作方法 至一种可单片集成的射频滤波器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述 的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入 硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的 下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时 形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性 腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM 电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀 释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅 片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。 |
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