| 专利名称 | 一种硅基光电探测器及制备方法和用途 | 申请号 | CN201210509688.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102983205A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 祖佰祎;窦新存;陆彬;张磊;郭林娟 | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基光电探测器及制备方法和用途 至一种硅基光电探测器及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硅基光电探测器及制备方法和用途，该探测器由下至上为Si基体，SiO2层，Au薄膜电极，SiO2层为Si基体表面热氧化得到，Au膜为真空溅射在SiO2层上，导线与Au电极通过银浆粘结制成，其中Si片厚度为150-675，SiO2层厚度为50-500，Au膜厚度为30-300，电极间隙宽度为2-2，该光电探测器用于紫外或可见波段的光信号转换成电信号的传感器。该光电探测器具有结构简单、成本低、机械性能好、物化性质稳定、易加工、保存等优点。不仅具有较高的灵敏度还具有响应时间短（小于400）的优点，并且有很好的稳定性、可靠性。 |
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