| 专利名称 | 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201310029832.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103078252A | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢军亮;张宇;王国伟;王娟;王丽娟;任正伟;徐应强;牛智川 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 至双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层、第二下波导层、第二有源区、第二上波导层、第二p型上限制层、盖层、SiO2掩膜和p型电极，且该激光器为边发射的脊型激光器，其中，第一有源区与第二有源区的量子阱波导层与势垒层均采用非掺杂的低Al组分的Al0.4Ga0.6As0.03Sb0.97材料，限制层均采用高Al组分的Al0.75Ga0.25As0.05Sb0.95材料，p型限制层采用掺杂元素为Be，n型限制层采用的掺杂元素为Te。本发明提高了双色激光器的内部量子效率，实现了单一GaSb基激光器芯片室温下1.83μm与2.0μm波段的连续激射。 |
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