| 专利名称 | 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 | 申请号 | CN200810101761.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101533768 | 公开（授权）日 | 2009.09.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;季海铭 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 至高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区 的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤 1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲 层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4： 以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上 淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火； 步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层 初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料 有源区的制作。 |
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