| 专利名称 | 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201110258171.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102978702A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;吴红萍;俞洪伟;侯雪玲 | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I | 专利有效期 | 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 至化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物氟硼酸钡及其非线性光学晶体化学式均为Ba3B6O11F2，晶体属单斜晶系，空间群P2(1)，晶胞参数为beta＝101.351(4)deg.，分子量690.88。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3倍，化合物氟硼酸钡采用固相反应法合成；氟硼酸钡非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该氟硼酸钡非线性光学晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
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